2021년 12월 14일 화요일

내로우, 제로 갭 물질-내로우/제로 갭 물질의 기술 동향(2021년 6월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report> 내로우/제로 갭 물질의 기술 동향(2021년 6월 조사)(일본어판)

(일본어목차) ナロー/ゼロギャップ物質の技術動向(2021年6月調査)


자료코드: R63201102 / 2021년 10월 15일 발행 /B5 44 (PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가



◆조사개요


본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2021년 7월호에 게재된 내용입니다.


■리서치 내용


~고감도 자기센서 등으로 이용되는 제로 갭 물질 그래핀은 남다른 특성 때문에 많은 연구자를 매혹~


1. 내로우/제로 갭 물질(NGM/ZGM)과는

1-1. 내로우 갭 물질(NGM)

1-2. 제로 갭 물질(ZGM)


2. NGM의 용도

2-1. 적외선센서

2-2. 자기센서(홀소자)

2-3. 고속전자디바이스

2-4. 열전변환소자


3. ZGM의 용도

3-1. OPV/OLED/ITO

3-2. 트랜지스터 집적회로


4. NGM/ZGM의 시장규모 예측 4-1. 국립대학법인 가가와대학

[그림·표1. NGM/ZGM의 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2030년 예측)]

[그림·표2. NGM/ZGM의 유형별 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2030년 예측)]


5. NGM/ZGM 관련 기업·연구기관의 대응 동향

5-1. 학교법인 도호대학

(1)고압 하의 유기도체 α-(BEDT-TTF) 2I 3의 수송 특성

(2)다층형 단결정으로 세계최초 2차원 제로 갭 전기전도체를 실현

[그림1. 유기도체 α-(BEDT-TTF) 2I 3의 결정구조]

[그림2. 고압 하에서 α-(BEDT-TTF) 2I 3의 제로 갭 구조(디렉콘: 왼쪽)와 란다우 준위(오른쪽)]

(3)에너지 손실 없는 녹색 분자성 전자 디바이스 개발에 빛

[그림3. 0.5 K에서 전기저항 Rxx과 홀저항 Rxy의 자기장 의존성]

[그림4. PEN 디바이스의 캐리어 농도분포와 에너지 도표의 약도(삽입도)]

(4)질량 제로 전자의 양자 상전이

5-2. 국립대학법인 도호쿠대학

[그림5. (10,5)나노튜브, 끝은 접혀져 있다]

(2)공명 라만 분광

[그림6. 다양한 나노카본 물질의 라만 스펙트럼,

위에서 그래핀, 그라파이트(HOPG), 나노튜브, 결함이 있는 그래핀, 나노혼, 비결정질 카본, RBM은 나노튜브 지름이 진동하는 모드]

(3)근접장 라만 분광을 이용한 시료의 평가

(4)원자층(2차원) 물질의 공명 라만 분광

5-3. 국립대학법인 도카이국립대학기구 나고야대학

(1)내로우 갭 반도체와 열전변환

[그림7. 저항률, 열전도율, 제베크 계수]

(2)안티몬화 철(FeSb2)

[그림8. phonon-drag 효과를 나타낸 모식도]

[그림9. 5가지 사이즈(단면적)의 다른 결정의 사진(왼쪽), 제베크 계수·열전도율 측정 결과(오른쪽)]

[그림10. 무차원 성능지수의 포논 평균 자유행로 의존성]

(3)납·팔라듐산화물(PbPdO2)

[그림11. PbPdO2의 결정구조]

[그림12. PbPdO2에 Fe와 Li를 첨가한 경우

Fe량 및 Li량을 변화시켰을 때의 자기특성(왼쪽) 및 온도특성(오른쪽)의 변화]

[그림13. PbPdO2에 Fe와 Ag를 첨가한 경우

Fe량 및 Ag량을 변화시켰을 때의 자기특성의 변화]

(4)칼슘·루테늄산화물(Ca2RuO4)

[그림14. Ca2RuO4의 결정구조]

[그림15. Ca2RuO4의 제베크 계수의 특성 (왼쪽)측정장치의 모식도, (오른쪽)측정결과]

5-4. 후지쓰 주식회사/국립대학법인 나라첨단과학기술대학원대학

[그림16. 합성에 성공한 17-AGNR의 모식도]

[그림17. (a)그래핀과 GNR의 에너지상태의 모식도 (b)GNR의 폭과 밴드갭의 관계]

[그림18. GNR의 bottom-up 합성법]

[그림19. Au(111) 기판 상의 17-AGNR의 합성 과정]

[그림20. (a)17-AGNR의 STM상 (b)비접촉 AFM상]

5-5. 국립연구개발법인 물질·재료연구기구(NIMS)

[그림21. FAST® 재료의 결정구조(왼쪽)과 전자상태밀도(오른쪽)

오른쪽 상단이 p형 반도체, 하단이 n형 반도체의 전자상태를 제시]

[그림22. FAST® 재료의 열전특성(전기출력인자)]

[그림23. FAST® 재료를 사용한 모듈의 발전성능]

[그림24. FAST® 재료와 Bi-Te재료의 특성 비교]

5-6. 국립대학법인 홋카이도 대학

[그림25. 스핀 궤도 상호작용의 강도 등 물질의 바로미터가 변화함으로써 전도대와 가전자대가 밴드반전을 일으켜 통상적인 절연체는 토포로지칼 절연체가 됨]

[그림26. 바일 반금속의 분류]

[그림27. Type-I과 Type-II 바일 반금속의 세로 자기전도율

실선은 양수, 파선은 음수 나타냄]

[그림28. 자기장이 전기장과 평행한 경우와 반 평행한 경우의

Type-I과 Type-II 바일 반금속의 란다우 준위]


6. NGM/ZGM의 장래 전망

6-1. NGM의 장래 전망

6-2. ZGM의 장래 전망




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