첨단디바이스, 단원자층 - 차세대 첨단 디바이스 동향(1) 단원자층 디바이스(2019년 4월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(1) 단원자층 디바이스(2019년 4월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200102 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p31(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 5월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 「차세대 첨단 디바이스 동향」시리즈를 시작하기에 즈음해

2. 단원자층이란

3. 대표적인 단원자층과 디바이스화

3-1. 그래핀

3-2. 실리센(Silicene), 게르마닌(Germanene), 스태닌(Stanene)

3-3. 전이 금속 디칼코제나이드(TMDC)

4. 단원자층 디바이스의 응용 분야

4-1. 전자 디바이스

4-2. 광디바이스

4-3. 촉매

5. 단원자층 디바이스의 시장규모 예측

【그림·표1. 단원자층 디바이스의 일본국내 및 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

【그림·표2. 단원자층 디바이스의 응용분야별 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

6. 단원자층 디바이스에 관련하는 기업·연구기관의 대응 동향

6-1. 국립대학법인 오카야마대학

6-2. 국립대학법인 교토대학

【그림1. 단층 TMDC상 여자기 모식도】

6-3. 국립대학법인 고베대학

6-4. 국립연구개발법인 산업기술종합연구소

6-5. 공립대학법인 수도대학도쿄

【그림2. 전형적인 TMDC 원자층 모식도】

【그림3. TMDC 제조 프로세스 모식도】

6-6. 국립대학법인 쓰쿠바대학

【그림4. 액체 Ga와 amorphous C의 고액계면에서 그래핀이 형성되는 모식도】

6-7. 국립대학법인 도쿄공업대학

【그림5. 연구 어프로치의 방법을 표시한 모식도】

【그림6. 계면제어에 의한 신규 디바이스의 창제 모식도】

【그림7. 메모리 디바이스 모식도】

6-8. 국립대학법인 도쿄대학

6-9. 국립대학법인 도호쿠대학

6-10. 국립연구개발법인 물질·재료연구기구(NIMS)

6-11. 국립대학법인 호쿠리쿠첨단과학기술대학원대학(JAIST)

【그림8. (a) 제작한 2층 그래핀 NEMS 센서의 구조, (b) 경사 그래핀 빔(sloped graphene beam) 모식도,

(c) 실제로 제작한 소자의 AFM 사진】

【그림9. 경사 2층 그래핀 빔 의 표면에 물리 흡착하는 CO2 분자의 모습(좌) 2층 그래핀 표면 부근에서의 정전 잼재적 분포(우측 상단) 기판전계를 오프로 했을 경우, CO2 분자가 떨어져 가는 궤적(우측 하단)】

6-12. 국립연구개발법인 이화학연구소

7. 단원자층 디바이스의 장래 전망

첨단 디바이스, 자체조직화 - 차세대 첨단 디바이스 동향(2) 자체조직화 디바이스(2019년 5월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(2) 자체조직화 디바이스(2019년 5월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200202 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p38(PDF로만 제공)

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◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 6월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 자체조직화란

2. 자체조직화 프로세스의 개요

3. 자체조직화 디바이스의 응용 사례

3-1. 반도체 미세 패턴

3-2. 반사 방지 필름

3-3. 시야각 확대 필름

3-4. 퀀텀닷 레이저

3-5. 메조포러스 실리카(mesoporous silica)

3-6. 에어 갭

3-7. 벌집 구조

3-8. 생체 분자의 모방

4. 자체조직화 디바이스의 시장규모 예측

【도표1. 자체조직화 디바이스의 일본국내 및 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

【도표2. 자체조직화 디바이스의 응용분야별 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

5. 자체조직화 디바이스에 관한 월드와이드 동향

5-1. 미국

5-2. 유럽

5-3. 일본

6. 자체조직화 디바이스에 관련하는 기업·연구기관 대응 동향

6-1. 국립대학법인 오사카대학

(1)π공액계 단분자 사슬의 형성과 전기전도 제어

(2) 국재화 표면 플라스몬 공명 바이오 센싱 플레이트의 개발

6-2. 국립대학법인 규슈대학

(1) 2D바이오 인터페이스에 의한 동물세포의 배열 제어

【그림1. 세포 배열 제어의 모식도】

(2) TLR2를 통해 세포를 직접 활성화하는 바이오 인터페이스의 개발

【그림2. TLR2를 통해 세포를 직접 활성화하는 바이오 인터페이스】

6-3. 국립대학법인 교토대학

(1) 물질 복합계의 비선형 거동 및 고기능 발현 기구에 관한 연구

(2) GPCR로 대표되는 막단백질의 내열화를 초래하는 아미노산 치환의 이론적 예측

(3) 생체계에서 자체조직화 및 질서화 과정의 통일적 이해

6-4. 국립대학법인 구마모토대학

(1) 분자간 수소결합에 유래한 2차원 네트워크 구조의 발현

【그림3. 트라이메스산과 멜렘에서 자발 형성한 수소결합 유래 2차원 패턴 구조】

(2) 고액계면을 반응장으로 한 공유결합성 2차원 폴리머 구축

【그림4. (상)고액계면을 반응장으로 한 공유결합성 자체조직화 구조 형성의 모식도

(하) 자체조직적으로 형성한 직선 모양, 2차원 네트워크 모양 폴리머의 STM상】

(3) 아세트산분위기 하에서의 원위치 재결정화법에 따르는 SURMOF 나노시트의 구축

【그림5. 재결정화 조건 차이로 발생하는 TPA-Cu계 SURMOF 나노시트 구조의 바리에이션(AFM상)】

(4) 화학액상성장 －2차원 구조로부터 3차원 구조로

【그림6. 화학액상성장 유기 폴리머 박막의 다양한 형태 사례(나노월 구조)】

6-5. 국립대학법인 신슈대학

6-6. 국립대학법인 지바대학

(1) 자체조직화를 이용한 새로운 구조에 의한 태양전지 등 유기 디바이스 구축

【그림7. 2가지 화합물의 자체조직화의 개략도(왼쪽에서 오른쪽으로 자체조직화의 계층이 오른다)】

(2) 토폴러지를 가진 초분자 폴리머의 창제와 응용

【그림8. 나선을 형성하는 초분자 폴리머】

6-7. 국립대학법인 도호쿠대학

6-8. 국립연구개발법인 물질·재료연구기구(NIMS)

(1) 액상π공액분자의 신기 자체조직화 기법

【그림9. π공역계 분자(알킬화 C60, 1)의 자체조직화 제어 기술의 모식도】

(2) 풀러렌 초분자 폴리모피즘에 관한 연구

【그림10. C60 유도체(345C16C60, 2)의 다양한 분자 집합체에의 가공 사례】

(3) 자체조직성 초발수막에 관한 연구

【그림11. (a) C60 유도체(345C20C60, 3), (b) 3의 플레이크상 마이크로 미립자 SEM상, (c) 디아세틸렌 부위 도입 C60 유도체(345 C27DAC60, 4)의 2분자막 유닛구조 및 그 광중합 모식도, (d) 4의 플레이크상 미립자 SEM상(UV조사 후), (b) 및(d)의 삽입：물 접촉각 사진】

6-9. 국립대학법인 홋카이도대학

【그림12. 불소화 올리고 에틸렌글리콜을 포함한 표면 리간드 분자의 구조와 Au나노 입자의 자체조직화 모식도】

6-10. 학교법인 와세다대학

【그림13. 유동층법에 따르는 고순도·길이가 긴CNT의 고수율 합성법의 모식도(왼쪽)와 실제 사진(오른쪽)】

【그림14. CNT 베이스의 LIB의 모식도(왼쪽)와 조직 사진(오른쪽)】

7. 자체조직화 디바이스의 장래 전망

첨단 디바이스, 초격자 디바이스 - 차세대 첨단 디바이스 동향(3) 초격자 디바이스(2019년 6월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(3) 초격자 디바이스(2019년 6월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200302 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p28(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 7월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 초격자란

2. 초격자 구조의 종류

2-1. 반도체 초격자

2-2. 자성 초격자

3. 초격자 디바이스란

4. 초격자 디바이스의 응용사례

4-1. 퀀텀 웰 레이저(Quantum well laser)

4-2. 태양전지

5. 초격자 디바이스의 시장규모 예측

【그림·표1. 초격자 디바이스의 일본국내 및 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

【그림·표2. 초격자 디바이스의 응용 분야별 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

6. 초격자 디바이스 관련 기업·연구기관의 대응 동향

6-1. 국립연구개발법인 산업기술종합연구소

【그림1. GeTe와 Sb2Te3 박막으로 구성되는 초격자 구조】

6-2. 학교법인 조치대학(上智大学)

6-3. 국립대학법인 도쿄공업대학

(1) 스퍼터법을 이용한 자성 박막 및 자기 기록 기술에 관한 연구

(2) 초격자를 이용해 새로운 전자기능재료와 디바이스를 제작

6-4. 국립대학법인 도쿄대학

【그림2. 페로브스카이트 태양전지의 전형적인 단면 구조】

【그림3. 페로브스카이트 태양전지 CH3NH4PBI3 박막의 냉각과정에서 발생한 정방정(T)과 입방정(C)의 혼재상태】

【그림4. CH3NH4PBI3 박막의 (a) TEM상,  (b) 전자선 회절상,  (c) 푸리에 변환상】

6-5. 국립대학법인 도호쿠대학

【그림5. NITE법에 따르는 FeNi 초격자의 합성 스킴】

6-6. 국립연구개발법인 물질·재료연구기구(NIMS)

6-7. 국립대학법인 홋카이도대학

【그림6. R-SPE법에 의한 InGaO3(ZnO)m단결정 박막의 제작 프로세스와 TEM상】

【그림7. (a) 인공 초격자의 열전변환 모식도 (b) 크게 확대된 전자를 좁은 공간에 가둠으로써

더욱 큰 열전능 증강이 발생하는 것을 나타내는 이론】

6-8. 국립대학법인 요코하마국립대학

【그림8. QD초격자 태양전지의 개념도】

【그림9. Si기판상에 제작한 다수의 역 피라미드공 SEM사진】

【그림10. 역 피라미드공 템플릿에 의한 QD초격자 형성의 모식도】

【그림11. (a) 패싯(Facet)을 가진 QD의 TEM상, (b) QD형상과 캐리어 이동이 용이함의 관계 모식도】

6-9. 국립연구개발법인 이화학연구소

7. 초격자 디바이스의 장래 전망

차세대첨단디바이스, 양자점 - 차세대 첨단 디바이스 동향(4) 양자점 디바이스(2019년 7월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(4) 양자점 디바이스(2019년 7월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200402 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p34(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 8월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 양자점이란

【그림 1. 벌크, 양자우물, 반도체 QD의 전자상태 비교】

【그림 2. GaAs상에 형성한 InAs QD의 TEM 사진】

2. QD디바이스 기능 발현으로 연결되는 QD의 특이적 성질

3. QD디바이스의 종류

3-1. 광디바이스

3-2. 정보 디바이스

4. QD디바이스의 응용 사례

4-1. 디스플레이

4-2. LED

4-3. 반도체 레이저

4-4. 태양전지

4-5. 생체 이메징

5. QD디바이스의 시장규모 예측

【도·표 1. QD디바이스의 일본국내 및 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

【도·표 2. QD디바이스의 응용분야별 WW시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

6. QD디바이스에 관련하는 기업·연구기관의 대응 동향

6-1. 주식회사 InnovaStella

【그림 3. QD나노 히터의 백그라운드 기술로서의 광LSI】

【그림 4. InnovaStella가 제작한 QD】

6-2. 주식회사 QD LASER

【그림 5. GaAs 기판상에 InAs QD를 형성하는 모식도】

【그림 6. GaAs 기판상에 형성한 고밀도 InAs QD의 SEM상】

6-3. 국립대학법인 교토대학

6-4. 국립대학법인 전기통신대학

【그림 7. GaAs 기판상에 형성한 초고밀도 InAs QD의 발광 스펙트럼폭과 QD밀도】

【그림 8. SiOx 필름상 및 SiOx막내에 MBD법으로 형성한 InAs QD의 모식도】

【그림 9. SiOx 필름상에 MBD법으로 형성한 InAs QD의 원자간력 현미경상】

6-5. 국립대학법인 나고야대학

【그림 10. 「Fluclair™Green/Yellow/Red」의 인산 완충액 중의 형광 사진】

【그림 11. 「Fluclair™ Yellow」를 도입한 지방조직유래 간세포 이미지】

6-6. 히타치화성 주식회사

【그림 12. 히타치화성이 개발한 QD필름의 외관】

【그림 13. 히타치화성이 개발한 QD필름의 구성】

【그림 14. 액정 디스플레이의 구조와 QD필름의 사용 예】

【그림 15. 발광시간(여기 형광수명)의 비교 이미지】

6-7. 국립대학법인 히로시마대학

【그림 16. Si QD하이브리드 LED의 사진과 모식도】

6-8. 국립연구개발법인 이화학연구소

(1) 반도체 qubit에 의한 하이브리드 양자 계산

【그림 17. 삼중 QD구조에 의한 전자 스핀 qubit의 하이브리드 디바이스】

(2) 반도체 퀀텀비트의 양자비파괴 측정

【그림 18. 전자 스핀 qubit의 양자비파괴 측정】

【그림 19. 반복 측정에 의한 qubit 측정 우류의 저감】

7. QD디바이스의 장래 전망

차세대첨단디바이스, 강상관전자계 디바이스 - 차세대 첨단 디바이스 동향(5) 강상관 전자계 디바이스(2019년 8월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(5) 강상관 전자계 디바이스(2019년 8월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200502 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p35(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 9월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 강상관 전자계 물질이란

2. 강상관 전자계의 이론

2-1. 금속과 반도체

2-2. 크론력

3. 강상관 전자계로 디바이스를 만든다

4. 강상관 전자계 디바이스의 응용 가능성

4-1. 트랜지스터

4-2. 메모리

4-3. 열전변환 디바이스

4-4. 기타 디바이스

5. 강상관 전자계 디바이스의 시장규모 예측

【그림·표1. 강상관 전자계 디바이스의 일본 및 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

【그림·표2. 강상관 전자계 디바이스의 타입별 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】

6. 강상관 전자계 디바이스에 관련하는 기업·연구기관의 대응 동향

6-1. 국립대학법인 오사카대학

【그림1. VO2 나노 구조체 단상 도메인의 상전이 제어】

(1) 금속/절연체 전자상의 전자 상태 해명

【그림2. Spring-8에서의 광전자 분광법에 의한 전자 상태 해명】

(2) 전자상 배열 제어와 VO2 나노미세 가공기술의 확립

【그림3. 나노 임프린트 나노 미세화법에 의한 일괄 대면적 VO2 나노 구조체 제작】

(3) 강상관 전자 상전이를 이용한 신규 디바이스의 개발

【그림4. 단일 전자상 도메인의 전기 제어와 신규 강상관 전자상 디바이스 개발】

6-2. 대학공동이용기관 법인고에너지가속기연구기구(KEK)

(1) 양자빔을 이용한 다자유도 강상관 물질에서의 동적 교차 상관물성의 해명

(2) 분자 시스템에서의 물성 제어

(3) 강상관 산화물 초구조를 이용한 신기 양자 상태의 관측과 제어

6-3. 대학공동이용기관법인 자연과학연구기구 분자과학연구소

【그림5. (A) Mott-FET의 단면도. (B) 유기 Mott 절연체(두께 약 500 nm)를 이용한

홀 디바이스의 광학 현미경상. 스케일은 100μm. (C)κ-Br의 표면 AFM상】

6-4. 국립대학법인 도쿄대학

【그림6. Sr2RuO4 초전도 박막 형성에 이용한 MBE 장치의 모식도】

【그림7. Sr2RuO4 초전도 박막 형성에 이용한 MBE 장치의 실물 사진】

6-5. 국립대학법인 도호쿠대학

(1) 강상관 산화물 양코우물 구조를 이용한 신기 양자화 상태의 개발

【그림8. 강상관 산화물 양자우물 구조를 이용한 신기 양자화 상태의 개발 이미지】

(2) 산화물 헤테로 구조를 이용한 신기능 개발

【그림9. 산화물 헤테로 구조를 이용한 신기능 개발 이미지】

(3) 산화물 나노 커패시터 구조를 이용한 그린 메모리의 개발

【그림10. 산화물 나노 커패시터 구조를 이용한 그린 메모리의 개발 이미지】

6-6. 학교법인 일본대학

【그림11. 기존의 강유전체와 전자형 강유전체의 전기 분극 모식도】

【그림12. 전자형 강유전체 희토류 페라이트 RFe2O4의 결정 구조】

【그림13. 전기 측정용 장치】

6-7. 국립연구개발법인 물질재료연구기구(NIMS)

(1) 신규 이리듐 산화물 Ba2IrO4에서의 Jeff = 1/2 스핀궤도 Mott 상태의 발견

(2) 공간 반전 대칭성이 깨진 신규 초전도체 SrAuSi3의 발견

(3) 신규 멀티 Ferroics 물질 RMnO3

6-8. 국립대학법인 요코하마국립대학

【그림14. 스핀이 무질서하면서도 강한 상관을 유지한 양자 스핀 액체】

【그림15. 염화루테늄 결정에서 볼 수 있는 양자 스핀 액체】

6-9. 국립연구개발법인 이화학연구소

6-10. 학교법인 와세다대학

【그림16. 자기스킬미온을 발현하는 B20 화합물의 구조】

【그림17. 스킬미온이 토폴로지컬에 보호된 안정성을 갖고 있는 것을 나타내는 모식도】

【그림18. 스킬미온리스 트럭 메모리의 모식도】

【그림19. 스킬미온 MRAM의 모식도】

7. 강상관 전자계 디바이스의 장래 전망

차세대첨단디바이스, 초전도 디바이스 - 차세대 첨단 디바이스 동향(6) 초전도 디바이스(2019년 9월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(6) 초전도 디바이스(2019년 9월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200602 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p33(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 10월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 초전도란

2. SC 일렉트로닉스는 차세대 첨단 디바이스의 희망!

3. SC 디바이스의 대표적 응용 사례

3-1. 초전도 양자 간섭 디바이스(SQUID)

3-2. 테라헤르츠파 발진·수신 디바이스

3-3. 단일 자속 양자(SFQ) 디바이스

3-4. 레이저 디바이스

4. SC 기기의 시장규모 예측

[그림·표1. SC 디바이스의 일본 및 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2040년 예측)]

[그림·표2. SC 디바이스의 용도 분야별 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2040년 예측)]

5. SC 디바이스에 관련된 기업·연구기관의 대응 동향

5-1. 국립대학법인 오사카대학

(1)테라헤르츠 나노과학 연구분야의 창제

[그림1. 테라헤르츠 과학과 나노 과학의 융합 이미지(HFD:Hierarchic Functional Development, SCF:Stimulated Cooperative Function, SC:Superconductor, QW:Quantum Well, NC:Nanocarbon)]

(2)나노 재료의 빛·테라헤르츠 과학

[그림2. (좌)그래핀의 테라헤르츠 도전율, (가운데)멀티페로익(BiFeO3)의 광응답, (우)메타머티리얼의 테라헤르츠 전자 반응]

(3)테라헤르츠 바이오 과학

[그림3. 테라헤르츠 바이오 칩]

5-2. 국립대학법인 교토대학

[그림4. BSCCO 테라헤르츠 광원의 (a)개념도와 (b)현미경 사진]

5-3. 국립연구개발정보통신연구기구(NICT)

5-4. 국립대학법인 전기통신대학

[그림5. (위)9비트 DAC회로, (아래)주파수 변조 결과]

[그림6. (위)FM-SC-FM SET과 외부 바이어스 전원의 구성, (아래)4개 상태에 대한 I/V 특성 비교]

5-5. 국립대학법인 도쿄공업대학

5-6. 국립대학법인 도호쿠대학

5-7. 국립대학법인 나고야대학

(1)SFQ회로에 의한 초고속 초저소비전력 정보처리

[그림7. 슈퍼컴퓨터의 액셀레이터용으로 시제작한 연산기 어레이(칩 시제작: 산업기술종합연구소)]

(2)자성 조셉슨 소자를 이용한 차세대 양자 디바이스의 실현

[그림8. 자성 조셉슨 소자를 이용한 SC 양자컴퓨터 소자(공동 시제작: 정보통신연구기구)]

(3)SC 센서 시스템에 의한 중성자를 이용한 이미징

[그림9. 100만 화소 중성자 이미징용 프로토 타입 칩(좌)와 구현 시스템(우)]

(4)고성능·신기능 디바이스의 개발

[그림10. 고온 초전도체에 의한 500GHz 1/2분주회로(좌)과 마이크로파 나노 구조 이상 정류 소자(우)]

5-8. 일본전신전화 주식회사(NTT)

[그림11. SCFQ의 전자현미경 사진]

[그림12. ESR의 개념도]

[그림13. SCFQ의 어레이화 개념도]

5-9. 국립개발법인 물질·재료연구기구(NIMS)

5-10. 국립대학법인 야마나시대학

(1)SC 멀티밴드 대역 통과 필터의 연구

[그림14. 3개 대역 통과 필터를 가진 쓰리밴드 대역 통과 필터]

(2)송신용 SC 필터의 연구

[그림15. 새로운 필터 구조]

(3)고주파용 초전도 선재의 개발과 그 응용 연구

[그림16. 초전도체의 응용 분야]

5-11. 국립대학법인 요코하마국립대학

[그림17. SCSFQ 회로의 구조]

5-12. 국립연구개발법인 이화학연구소

6. SC 디바이스의 미래 전망

차세대첨단디바이스, 유기디바이스 - 차세대 첨단 디바이스 동향(7) 유기 디바이스(2019년 10월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(7) 유기 디바이스(2019년 10월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200702 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p30(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 11월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 유기 디바이스란

2. 유기 디바이스의 원료로서의 유기반도체

3. 유기 디바이스의 응용 사례

3-1. 유기 EL장치

3-2. 유기 FET

3-3. 유기 태양전지

4. 유기 디바이스의 시장규모 예측

[그림·표1. 유기 디바이스의 일본 및 WW 시장규모 예측(금액:2020-2040년 예측)]

[그림·표2. 유기 디바이스의 응용분야별 WW 시장규모 예측(금액:2020-2040년 예측)]

5. 유기 디바이스 관련 기업·연구기관의 대응 동향

5-1. 국립대학법인 규슈대학

5-2. 국립대학법인 교토대학

(1)멀티 스케일 시뮬레이션에 의한 비결정 유기 박막 중에서의 전하 수송 해석

[그림1. 멀티 스케일 시뮬레이션에 의한 유기 비결정 박막 중에서의 전하 수송 해석]

[그림2. 본 연구의 모델과 전자 이동도의 전계강도 의존성]

(2)고효율 청색 발광 유기 EL소자의 개발

[그림3. (위)이번에 사용한 유기 EL소자 구조와 각종 관련 재료(왼쪽 중단) 이번에 사용한 유기 EL발광 재료(오른쪽 중단) 소자B, 발광분자 CCX-II를 사용한 경우의 실제 발광 모습(왼쪽 하단) EQE개선의 모습(오른쪽 하단) 소자B, 발광분자 CCX-I, CCX-II를 사용한 경우의 CIE좌표]

5-3. 국립대학법인 지바대학

[그림4. 프탈로시아닌의 분자 구조]

[그림5. 철 자석 기판상에서 실현한 세계 가장 얇은 유기분자막의 모식도]

[그림6. 철 기판 위에 제작한 프탈로시아닌 분자막(위) 실온에서 관찰한 STM상(아래) 분자막의 모식도]

5-4. 국립대학법인 쓰쿠바대학

(1)측정 수단으로서의 전자 스핀 공명

[그림7. ESR측정용 유기 디바이스 구조]

(2)유기·페로브스카이트 태양전지의 ESR연구

[그림8. 광유기 ESR 분광장치 모식도]

(3)유기 트랜지스터의 ESR연구

5-5. 국립대학법인 도쿄공업대학

[그림9. 대표적인 유기반도체 고분자의 구조]

[그림10. 미치노부연구실이 개발된 질소원자를 함유하는 유기반도체 고분자]

[그림11. 플렉서블 기판 상에 제작한 유기 트랜지스터]

5-6. 국립대학법인 도쿄대학

5-7. 사립대학 도쿄이과대학

6. 유기 디바이스의 미래 전망

디바이스, 나노와이어 디바이스 - 차세대 첨단 디바이스 동향(8) 나노 와이어 디바이스(2019년 11월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(8) 나노 와이어 디바이스(2019년 11월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200802 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p34(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 12월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 지금, 나노 와이어가 부상한다!

2. 나노 와이어 디바이스의 가능성

3. 그렇다면, FinFET는 언제 나노 와이어로 대체되는가?

4. 나노 와이어 디바이스의 응용 사례

4-1. 트랜지스터

4-2. 광소자

4-3. 태양전지

4-4. 열전변환 자

4-5. 기타

5. 나노 와이어 디바이스의 시장규모 예측

[그림·표1. 나노 와이어 디바이스의 일본 및 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2040년 예측)]

[그림·표2. 나노 와이어 디바이스의 응용 분야별 WW 시장규모 예측(금액: 2020-2040년 예측)]

6. 나노 와이어 디바이스에 관련된 기업·연구 기관의 대응 동향

6-1. 국립대학법인 오사카대학

[그림1. ZnO 나노 와이어를 넣은 박막의 단면 SEM상]

[그림2. 나노 와이어를 넣은 투명박막의 전자전도와 포논전도의 개념도]

6-2. 국립대학법인 규슈대학

[그림3. NAPLD로 제작한 ZnO 나노 와이어의 SEM사진]

6-3. 학교법인 게이오기주쿠대학

[그림4. CNT템플릿에 형성된 NbN 나노 와이어의 모식도와 전자현미경 상]

[그림5. NbN 나노 와이어에서 관찰된 열·양자 위상 슬립]

6-4. 공립대학법인 수도대학도쿄

[그림6. TMM 나노 와이어의 결정 구조(좌)와 TEM상(우)]

6-5. 학교법인 조치대학

(1)VLS성장

[그림7. VLS성장의 모식도]

(2)In 자기촉매 나노 와이어

[그림8. 자기촉매 VLS법의 프로세스]

[그림9. 셸 층의 성장방법(VPE법) 프로세스]

[그림10. 성장한 코어 멀티 셸 나노 와이어와 PL 특성 비교]

6-6. 국립대학법인 도쿄대학

[그림11. Si-MOS트랜지스터 구조의 변천]

6-7. 국립대학법인 나고야대학

[그림12. (상)나노 와이어를 이용한 미생물 파쇄, (하)나노 와이어와 미생물이 나노 와이어에 의해서 당겨진 전자현미경 사진]

6-8. 국립대학법인 호쿠리쿠첨단과학기술대학원대학

[그림13. 반도체와 강자성체와 복합구조로 이루어진 스핀 FET]

(1)반도체 나노 와이어 구조의 제작

[그림14. 톱다운 수법에 의한 나노 와이어 J. Appl. Phys. 120(2016)142123】

[그림15. 바텀업 수법에 의한 나노 와이어]

(2)반도체-강자성체 복합구조의 제작

[그림16. ZnO/Co 코어 셀 나노 와이어 RSC Adv. 8(2018)632】

[그림17. MnAs/InAs 복합구조에 의한 스핀 디바이스]

6-9. 국립대학법인 홋카이도대학

[그림18. (a)Si상의 III-V 나노 와이어 선택 성장 모식도, (b)V족 원자에서 치환된 Si(111) 표면, (c)III족 원자에서 종단된 Si(111) 표면, (d)Si(111) 상의 InGaAs 나노 와이어 선택 성장 결과]

6-10. 학교법인 와세다대학

[그림19. 와타나베 다카노부 교수가 제안한 신디바이스 구조]

[그림20. 평면형과 직립형 디바이스 구조]

[그림21. 발전 밀도의 벤치마크]

7. 나노 와이어 디바이스의 장래 전망

다이나믹데이터, 데이터 - 다이나믹 데이터의 이용 동향(2020년 1~3월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>다이나믹 데이터의 이용 동향(2020년 1~3월 조사)(일본어판)

자료코드: R62200902 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p38(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2020년 2월호, Yano Eplus 2020년 3월호, Yano Eplus 2020년 4월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

다이나믹 데이터의 이용 동향(1)

1. 스마트폰 등 개인용 단말기를 이용한 데이터 비즈니스

1-1. 스마트폰 등 개인용 단말기를 이용한 데이터 비즈니스

(1) 위치정보를 이용한 비즈니스

[그림·표1. Google의 최근 3년간 실적 추이(2016~2018년)]

(2) SNS의 보급과 향후 움직임

[그림·표2. Facebook의 최근 3년간 실적 추이(2016~2018년)]

(3) 개인정보보호와 규제의 움직임

[표1. 유럽지령: GDPR의 개요]

2. 모빌리티를 이용한 다이나믹 데이터의 취득

2-1. 자동차 시장의 변화와 CASE

2-2. 모빌리티의 변화와 다이나믹 데이터의 동향

[표2. CASE을 고려한 자동차 운전(주행)에 요구되는 요건]

(1) 실시간 센싱의 종류

[표3. 차에 탑재되어 있는 대표적인 센서]

다이나믹 데이터의 이용 동향(2)

1. 다이나믹 데이터를 둘러싼 차량 이용의 변화

1-1. 커넥티드 카

1-2. 테슬라의 실시하는 것

1-3. MaaS의 움직임

1-4. 정보의 개인화

2. 현재 다이나믹 데이터 이용

2-1．CASE

(1)연결(Connected)

(2)자율주행(Autonomus)

(3)공유(Shared)

(4)전동화(Electric)

(5)HMI

3. 다이나믹 데이터의 중요성과 그 대응

3-1. 다이나믹 데이터의 사례

[표1. 차에 관련해서 향후 이용이 예상되는 데이터 사례]

다이나믹 데이터의 이용 동향 (3)

1. 다이내믹 데이터와 새로운 비즈니스의 가능성

1-1. 다이나믹 데이터의 종류

(1) V2X에서 취득한 정보

(2) (지도)위치정보

(3) ADAS에서 취득한 정보

(4) HMI에 의한 정보

①HUD

②전자미러(e-미러)

③실내용 카메라(인카메라)

④바이탈 센서

⑤트윗 (SNS)

2. 자동차의 다이내믹 데이터에 관련된 시장규모 추계

[그림·표1. 차량의 다이나믹 데이터와 관련된 분야별 일본국내 시장규모 추이와 예측(금액: 2020~2022년 예측, 2025년 예측]

고밀도 LSI, ,반도체 - 고밀도 LSI의 최신 동향(2020년 1월 조사)(일본어판)/야노경제연구소

 <Concise Report>고밀도 LSI의 최신 동향(2020년 1월 조사)(일본어판)

자료코드: R62201002 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p27(PDF로만 제공)

YDB회원 열람 불가

◆조사개요

본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2020년 2월호에 게재된 내용입니다.

■리서치 내용

1. 반도체는 어디까지 미세화되는가

2. 고밀도 LSI 프로세스의 현재의 주류

2-1. FinFET

2-2. FD-SOI

3. 고밀도 LSI 시장규모 추이와 전망

[그림·표1. 고밀도 LSI의 세계 시장규모 추이와 전망(2018~2023년 예측)]

[그림·표2. 고밀도 LSI의 유형별 세계 시장규모 추이와 전망(2018~2023년 예측)]

4. 고밀도 LSI의 시장 점유율

[그림·표3. 고밀도 LSI 세계 시장의 기업 점유율(2018년)]

5. 고밀도 LSI에 관한 기업·연구기관의 대응 동향

5-1. 국립연구개발법인 산업기술종합연구소

(1) 고품질 Ge플랫폼 기판의 연구

[그림1. 미세가공한 고품질 Ge 단결정 패턴의 트랜스퍼]

(2) 전이금속 다이칼코게나이드 MOSFET의 연구

[그림2. 단원자층 칼코게나이드를 이용한 다기능 탑재 3차원 LSI 집적화 기술의 모식도]

(3) 실리콘 LSI의 미세화 한계를 타파하는 사물리 모놀리식 3차원 집적화 기술

[그림3. 모노리식 3차원 집적 개념도]

[그림4. (위)InGaAs, (아래)SiGe적층 예(FIRST 프로그램, GNC)]

5-2. 학교법인 쇼난공과대학

[그림 5.Fe-FET를 이용한 적층형 논리회로 구성]

[그림6. 2입력 1출력의 LUT회로 구성]

5-3. 국립대학법인 도쿄공업대학

[그림 7. 마이크로 범프 타입과 승합차 범프레스형 단면 구조의 비교]

[그림8. 마이크로범프 타입과 범프레스 타입의 온도 상승 비교 그래프]

5-4. GlobalFoundries(GF)[미국]

5-5. International Business Machines Corporation(IBM)[미국]

5-6. Intel Corporation(미국)

5-7. NXP Semiconductors NV(NXP)(네덜란드)

5-8. Soitec SA(프랑스)

5-9. STMicroelectronics NV(ST)(네덜란드)

5-10. Synopsys International Ltd.(Synopsys)[미국]

5-11. Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)(대만)

6. FinFET와 FD-SOI의 다음은