<Concise Report>차세대 첨단 디바이스 동향(5) 강상관 전자계 디바이스(2019년 8월 조사)(일본어판)
자료코드: R62200502 / 2020년 12월 15일 발행 /B5 p35(PDF로만 제공)
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◆조사개요
본 조사 리포트는 정기간행물 Yano Eplus 2019년 9월호에 게재된 내용입니다.
■리서치 내용
1. 강상관 전자계 물질이란
2. 강상관 전자계의 이론
2-1. 금속과 반도체
2-2. 크론력
3. 강상관 전자계로 디바이스를 만든다
4. 강상관 전자계 디바이스의 응용 가능성
4-1. 트랜지스터
4-2. 메모리
4-3. 열전변환 디바이스
4-4. 기타 디바이스
5. 강상관 전자계 디바이스의 시장규모 예측
【그림·표1. 강상관 전자계 디바이스의 일본 및 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】
【그림·표2. 강상관 전자계 디바이스의 타입별 세계 시장규모 예측(금액：2020-2040년 예측)】
6. 강상관 전자계 디바이스에 관련하는 기업·연구기관의 대응 동향
6-1. 국립대학법인 오사카대학
【그림1. VO2 나노 구조체 단상 도메인의 상전이 제어】
(1) 금속/절연체 전자상의 전자 상태 해명
【그림2. Spring-8에서의 광전자 분광법에 의한 전자 상태 해명】
(2) 전자상 배열 제어와 VO2 나노미세 가공기술의 확립
【그림3. 나노 임프린트 나노 미세화법에 의한 일괄 대면적 VO2 나노 구조체 제작】
(3) 강상관 전자 상전이를 이용한 신규 디바이스의 개발
【그림4. 단일 전자상 도메인의 전기 제어와 신규 강상관 전자상 디바이스 개발】
6-2. 대학공동이용기관 법인고에너지가속기연구기구(KEK)
(1) 양자빔을 이용한 다자유도 강상관 물질에서의 동적 교차 상관물성의 해명
(2) 분자 시스템에서의 물성 제어
(3) 강상관 산화물 초구조를 이용한 신기 양자 상태의 관측과 제어
6-3. 대학공동이용기관법인 자연과학연구기구 분자과학연구소
【그림5. (A) Mott-FET의 단면도. (B) 유기 Mott 절연체(두께 약 500 nm)를 이용한
홀 디바이스의 광학 현미경상. 스케일은 100μm. (C)κ-Br의 표면 AFM상】
6-4. 국립대학법인 도쿄대학
【그림6. Sr2RuO4 초전도 박막 형성에 이용한 MBE 장치의 모식도】
【그림7. Sr2RuO4 초전도 박막 형성에 이용한 MBE 장치의 실물 사진】
6-5. 국립대학법인 도호쿠대학
(1) 강상관 산화물 양코우물 구조를 이용한 신기 양자화 상태의 개발
【그림8. 강상관 산화물 양자우물 구조를 이용한 신기 양자화 상태의 개발 이미지】
(2) 산화물 헤테로 구조를 이용한 신기능 개발
【그림9. 산화물 헤테로 구조를 이용한 신기능 개발 이미지】
(3) 산화물 나노 커패시터 구조를 이용한 그린 메모리의 개발
【그림10. 산화물 나노 커패시터 구조를 이용한 그린 메모리의 개발 이미지】
6-6. 학교법인 일본대학
【그림11. 기존의 강유전체와 전자형 강유전체의 전기 분극 모식도】
【그림12. 전자형 강유전체 희토류 페라이트 RFe2O4의 결정 구조】
【그림13. 전기 측정용 장치】
6-7. 국립연구개발법인 물질재료연구기구(NIMS)
(1) 신규 이리듐 산화물 Ba2IrO4에서의 Jeff = 1/2 스핀궤도 Mott 상태의 발견
(2) 공간 반전 대칭성이 깨진 신규 초전도체 SrAuSi3의 발견
(3) 신규 멀티 Ferroics 물질 RMnO3
6-8. 국립대학법인 요코하마국립대학
【그림14. 스핀이 무질서하면서도 강한 상관을 유지한 양자 스핀 액체】
【그림15. 염화루테늄 결정에서 볼 수 있는 양자 스핀 액체】
6-9. 국립연구개발법인 이화학연구소
6-10. 학교법인 와세다대학
【그림16. 자기스킬미온을 발현하는 B20 화합물의 구조】
【그림17. 스킬미온이 토폴로지컬에 보호된 안정성을 갖고 있는 것을 나타내는 모식도】
【그림18. 스킬미온리스 트럭 메모리의 모식도】
【그림19. 스킬미온 MRAM의 모식도】
7. 강상관 전자계 디바이스의 장래 전망
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